SK海力士321层1tb TLC 4D NAND闪存(SK hynix)
世界第二大存储芯片制造商SK海力士(SK hynix)于8日在美国举行的全球产业会议上，首次公开了面向人工智能(AI)需求的321层NAND和下一代存储解决方案样品。
SK海力士当天在世界最大的NAND闪存产业年度会议“Flash Memory Summit”上展示了最新的NAND闪存芯片，并公开了业界首个超过300层的NAND的开发进展。
SK海力士NAND开发本部长崔正达在当天的主题演讲中表示:“随着高性能、大容量NAND的及时推出，我们将努力满足人工智能时代的要求，并继续引领创新。”
三星电子预计，随着第五代4D NAND产品321层的持续开发，将巩固其在NAND领域的技术领先地位。
该公司正在开发的321层芯片是1tb三层Cell 4D NAND闪存。NAND闪存产品根据单个单元中包含的信息数量(以位单位为单位)分为单、多、三、四和五级单元。当一个单元格包含更多的信息时，这意味着在相同的面积范围内可以存储更多的数据。
SK海力士透露了具体的开发进度，并表示将提高321层产品的完工水平，并从2025年上半年开始批量生产。
此举正值该公司寻求维持其市场份额之际，而全球存储芯片市场预计将在未来几个月从严重低迷中逐步复苏。
据SK透露，与上一代238层512G相比，321层1Tb TLC NAND的生产率提高了59%。该公司解释说，这种技术可以在单个芯片上堆叠更多的电池和更大的存储容量，从而增加单个晶圆产生的总容量。
SK海力士表示:“通过突破堆叠限制，将开启300层以上的NAND时代，引领市场。”并解释说，238层NAND的成功为321层NAND的开发带来了顺利的进展。
ChatGPT的引入加速了生成式人工智能市场的增长，对能够以更快的速度处理更多数据的高性能、高容量内存产品的需求正在迅速增长。
SK海力士为了满足新需求，推出了采用PCIe Gen5接口的企业SSD和UFS 4.0等针对AI需求优化的下一代NAND解决方案。
该公司表示，预计这些产品将实现行业领先的性能，以充分满足客户对高性能的需求。
SK海力士还表示，已开始开发下一代PCIe Gen6和UFS 5.0，并通过这些产品获得了改进的解决方案开发技术，并表示将致力于成为行业的引领者。
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